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直擊北京車展 碳化硅上車蔚然成風(fēng) 芯聯(lián)集成碳化硅產(chǎn)品躋身國內(nèi)頭部陣營

2024/4/25 10:15:38      挖貝網(wǎng) 李輝

4月25日,以“新時(shí)代 新汽車”為主題的2024北京車展拉開帷幕,“新能源汽車”成大亮點(diǎn)。來自北京車展主辦方的信息顯示,此次參展的新能源車型多達(dá)278個,其中,800V高壓平臺上車成為今年車展的一大看點(diǎn),搭載800V架構(gòu)的全新問界M5、享界S9、蔚來樂道L60、極氪MIX、星途星紀(jì)元ET等車型紛紛亮相。

2023年以來,眾多車企在新能源汽車的續(xù)航里程與補(bǔ)能速度上發(fā)力,800V車型由此接踵落地,這進(jìn)一步加速碳化硅規(guī)模上車。800V系統(tǒng)平臺搭載碳化硅,能有效緩解續(xù)航和補(bǔ)能焦慮,因此兩者被稱為“絕配CP”。

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圖注:芯聯(lián)集成6英寸碳化硅平面MOS芯片

主要用于新能源汽車主驅(qū)逆變器

作為稀缺的一站式芯片系統(tǒng)代工解決方案供應(yīng)商,2023年,芯聯(lián)集成6英寸碳化硅晶圓廠出貨規(guī)模已超過月產(chǎn)5000片,且出貨量位列中國SiC MOS規(guī)模量產(chǎn)出貨前列。芯聯(lián)集成自去年開始量產(chǎn)平面SiC MOS以來,實(shí)現(xiàn)了90%的產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器。

碳化硅上車,帶來整車效率質(zhì)的飛躍

隨著新能源汽車市場發(fā)展的高歌猛進(jìn),整車廠都希望提高車輛的表現(xiàn)力,包括更快的充電時(shí)間、更持久的續(xù)航里程,以及優(yōu)質(zhì)的駕乘體驗(yàn)等等,以獲得更多市場競爭力,而碳化硅的存在就尤為重要。

碳化硅應(yīng)用于新能源汽車內(nèi)部的關(guān)鍵電力系統(tǒng),包括主驅(qū)逆變器、車載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。與傳統(tǒng)硅基器件相比,作為第三代半導(dǎo)體技術(shù),碳化硅因其耐高壓、高開關(guān)頻率、耐高溫和低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率、更低的損耗和空間小型化,因此在電能轉(zhuǎn)換中得到大規(guī)模應(yīng)用。

芯聯(lián)集成具備碳化硅產(chǎn)品全棧能力,性能比肩國際先進(jìn)水平

當(dāng)下,在碳化硅芯片集中上量的主驅(qū)逆變器應(yīng)用領(lǐng)域,芯聯(lián)集成已把握先機(jī),成功躋身于國內(nèi)頭部陣營。

技術(shù)不斷創(chuàng)新,產(chǎn)品快速迭代是芯聯(lián)集成在短時(shí)間內(nèi)取得市場突破的大驅(qū)動力。從啟動碳化硅產(chǎn)線預(yù)研,到大批量出貨,芯聯(lián)集成用了三年時(shí)間,迭代了三代SiC MOS產(chǎn)品,新第三代1200V SiC MOS 已于2023年底在汽車主驅(qū)應(yīng)用量產(chǎn),具備國際領(lǐng)先的芯片能力。

特別值得一提的是,在備受碳化硅需求應(yīng)用端關(guān)注而又為之苦惱的良率方面,芯聯(lián)集成第三代1200V SiC MOS達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的水平。

同時(shí),在影響碳化硅器件性能、故障率和壽命的溫度方面,芯聯(lián)集成第三代1200V SiC MOS支持200℃的工作結(jié)溫,而且具有更好的高溫性能:

● 25℃Rdson @13mohm

● 150℃Rdson@19.2mohm

● 175℃Rdson@21.5mohm

除了這些優(yōu)勢,芯聯(lián)集成第三代1200V SiC MOS還支持門極負(fù)壓關(guān)斷(推薦門極工作電壓-5V/18V),且已通過AQG-324可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn),以及加嚴(yán)的DGS、DRB (動態(tài)HTGB、動態(tài)HTRB)可靠性驗(yàn)證。

及時(shí)響應(yīng)整車廠對于碳化硅的應(yīng)用需求,芯聯(lián)集成不僅能提供碳化硅芯片代工,同時(shí)具備了從設(shè)計(jì)、制造到封裝、測試的全棧能力,公司可提供包含設(shè)計(jì)服務(wù)、晶圓制造、模組封裝、應(yīng)用驗(yàn)證、可靠性測試的一站式芯片及系統(tǒng)代工解決方案,能靈活滿足不同整車廠的需求。

芯聯(lián)集成生產(chǎn)的車載SiC模塊,采用高性能的平面柵形SiC MOSFET芯片的灌封和塑封封裝技術(shù),產(chǎn)品覆蓋750V-1200V全系列,可以分別滿足400V和800V車載系統(tǒng)的需求,產(chǎn)品規(guī)格如下圖,性能比肩國際碳化硅廠商水平。

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圖注:芯聯(lián)集成碳化硅模塊系列產(chǎn)品

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圖注:芯聯(lián)集成單面散熱塑封全橋SiC模塊,主要用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等

長板優(yōu)勢已顯,未來更為可期。據(jù)悉,芯聯(lián)集成的國內(nèi)首條8英寸晶圓研發(fā)線將于2024年底通線,屆時(shí)8英寸晶圓帶來的成本與產(chǎn)能優(yōu)勢,將更好地滿足車企對“增效降本”的追求。